Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	12.49
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	15 840	6.89
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	496	4.96
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		3 288	1.07
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	34	1.54  >100 шт.   0.77
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 576	1.26
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	1 800	1.18
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEEN SIDE
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MERRYELC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	RUME
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HITACHI
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный			40.00
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UTC
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HIT
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UNISONIC
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	КИТАЙ
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	DE
		2SD669A		Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz	HITACHI
		2SD669A		Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz		36	32.76
		2SD669A		Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz	HIT
		2SD669A		Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz	KLS
		2SD669A		Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz	LGE	1	6.85
		2SD669A		Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz	SUNTAN
		2SD669A		Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz	ASEMI	778	6.31
		2SD669A		Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz	XXW	680	8.14
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FSC
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В			592.00
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	Fairchild Semiconductor
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	США
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS-FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ON SEMICONDUCTOR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS
		TDA7293		УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W	ST MICROELECTRONICS
		TDA7293		УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W			320.00
		TDA7293		УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W	ST MICROELECTR
		TDA7293		УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W	1
		TDA7293		УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W	4-7 НЕДЕЛЬ	228
		TDA7293		УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W	КИТАЙ	1	375.15

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"