Версия для печати
Технические характеристики AD629BRZ

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	5 V ~ 36 V, ±2.5 V ~ 18 V
Ток выходной / канал	25mA
Ток выходной	900µA
Напряжение входного смещения	100µV
Полоса пропускания -3Дб	500kHz
Скорость нарастания выходного напряжения	2.1 V/µs
Число каналов	1
Тип усилителя	Differential
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	10 563	4.63
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	16 525	3.59
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	1 200	4.92
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	3 084	4.00
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		18 560	1.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	57 209	1.91
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	24 800	1.37
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.21
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	15.30
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	4 495	5.92
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	10 982	2.92
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		12 002	1.13
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	5 804	1.94
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	19 200	1.31
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт		2 711	5.28
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	FAIR
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	PHILIPS
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	VISHAY
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	CHINA
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	FAIRCHILD
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	GALAXY
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	FAIRCHILD
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	PHILIPS	410
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	Fairchild Semiconductor
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	КИТАЙ	800	6.63
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	EXTRA
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	DC COMPONENTS
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	MCC
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	KINGTRONICS
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	GALAXY ME
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	PANJIT	109	1.73
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	HOTTECH	393	1.20
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	KLS	24 000	1.84  >100 шт.   0.92
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	LGE
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	БРЕСТ
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	1
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	SEMTECH
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	SUNTAN	5 040	1.39
		L78L06ACZ		(+6В, 0.1А) (КР1157ЕН602) TO92	ST MICROELECTRONICS	800	17.85
		L78L06ACZ		(+6В, 0.1А) (КР1157ЕН602) TO92			19.16
		L78L06ACZ		(+6В, 0.1А) (КР1157ЕН602) TO92	STMicroelectronics
		L78L06ACZ		(+6В, 0.1А) (КР1157ЕН602) TO92	ST MICROELECTR
		L78L06ACZ		(+6В, 0.1А) (КР1157ЕН602) TO92	ST MICROELECTRONICS SEMI	47
		L78L06ACZ		(+6В, 0.1А) (КР1157ЕН602) TO92	ST MICROELECTRO
		SF54		Быстрый диод (5А/150А,200В)	SEMTECH
		SF54		Быстрый диод (5А/150А,200В)	DC COMPONENTS	6 017	14.93
		SF54		Быстрый диод (5А/150А,200В)		262	5.33
		SF54		Быстрый диод (5А/150А,200В)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SF54		Быстрый диод (5А/150А,200В)	GALAXY
		SF54		Быстрый диод (5А/150А,200В)	MIC
		SF54		Быстрый диод (5А/150А,200В)	YJ	3 351	11.29
		SF54		Быстрый диод (5А/150А,200В)	КИТАЙ	80	30.60
		SF54		Быстрый диод (5А/150А,200В)	KINGTRONICS
		SF54		Быстрый диод (5А/150А,200В)	YS
		SF54		Быстрый диод (5А/150А,200В)	GALAXY ME
		SF54		Быстрый диод (5А/150А,200В)	YANGJIE
		SF54		Быстрый диод (5А/150А,200В)	YANGJIE (YJ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"