AD5260BRUZ20
Цифр.потенциометр, 20кОм, 8 бит, 256 позиций, SPI, 35ppm/°С, 310кГц, 13нВ/VГц, Iп=62мкА, Uп=4.5..16.5В или +4.5..+5.5В, -40..+85°С
|
|
Версия для печати
| Сопротивление (Ом) | 20K |
| Интерфейс подключения | 4-Wire SPI (Chip Select) |
| Тип памяти | Volatile |
| Напряжение питания | 4.5 V ~ 16.5 V, ±4.5 V ~ 5.5 V |
| Корпус | 14-TSSOP |
| Корпус (размер) | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Температурный коэфициент | 35 ppm/°C Typical |
| Число каналов | 1 |
| Число шагов | 256 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
B59880C0120A070 | EPCOS |
|
|
||||
|
|
B59880C0120A070 |
|
127.88 | |||||
|
|
B59880C0120A070 | EPCOS Inc |
|
|
||||
|
|
B59880C0120A070 | TDK-EPC | 5 260 | 38.82 | ||||
|
|
B59880C0120A070 | TDK (EPCOS) |
|
|
||||
| CAT16-151J4LF |
|
|
||||||
| CAT16-151J4LF | BOURNS |
|
|
|||||
| FOD852S | FAIR |
|
|
|||||
| FOD852S | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FOD852S | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FOD852S | FSC |
|
|
|||||
| FOD852S | Fairchild Optoelectronics Group |
|
|
|||||
| FOD852S | США |
|
|
|||||
| FOD852S | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|||||
| FOD852S |
|
|
||||||
| FOD852S | ONS-FAIR |
|
|
|||||
 |
|
HCPL-073L |
|
Оптопара — Опто транзистор darlington x2 6.0kV 0.06A Кус=400..5000% 0.135W | AVAGO |
|
|
|
|
|
|
HCPL-073L |
|
Оптопара — Опто транзистор darlington x2 6.0kV 0.06A Кус=400..5000% 0.135W |
|
550.24 | ||
|
|
|
HCPL-073L |
|
Оптопара — Опто транзистор darlington x2 6.0kV 0.06A Кус=400..5000% 0.135W | AVAGO TECHNOLOGIES | 26 |
|
|
|
|
|
HCPL-073L |
|
Оптопара — Опто транзистор darlington x2 6.0kV 0.06A Кус=400..5000% 0.135W | Avago Technologies US Inc |
|
|
|
|
|
|
HCPL-073L |
|
Оптопара — Опто транзистор darlington x2 6.0kV 0.06A Кус=400..5000% 0.135W | ГЕРМАНИЯ |
|
|
|
| LME49710MA | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LME49710MA |
|
475.20 | ||||||
| LME49710MA | NSC |
|
|
