Версия для печати
Технические характеристики SI7120DN-T1-E3
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | TrenchFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 10A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.3A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Power - Max | 1.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | PowerPAK® 1212-8 |
Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.