Версия для печати
Технические характеристики BSR15

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Power - Max	350mW
Frequency - Transition	200MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

BSR15 Pnp General Purpose Amplifier Производитель: Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com BSR15 datasheet 84.36Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	FAIR
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	PHILIPS
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	FAIRCHILD
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	FAIRCHILD
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	PHILIPS	647
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	Fairchild Semiconductor
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	NXP
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	NXP	8 950
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	FSC
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	ONS
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	ONS-FAIR
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	NEXPERIA	2 400	7 258.08
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS	80	28.35
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS	845	24.57
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц			16.04
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	UTC
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMicroelectronics
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ГЕРМАНИЯ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	КИТАЙ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMICROELECTR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	HTC TAEJIN
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	1
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	IDCHIP	2 534	2.49
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	777
		PZT2222A		Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223	PHILIPS
		PZT2222A		Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223	FAIR
		PZT2222A		Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223	NXP
		PZT2222A		Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223	SECOS
		PZT2222A		Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223	FAIRCHILD
		PZT2222A		Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223	UTC
		PZT2222A		Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223		3 200	4.84
		PZT2222A		Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223	FAIRCHILD	515
		PZT2222A		Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223	NXP
		PZT2222A		Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223	PHILIPS
		PZT2222A		Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223	SECOS
		PZT2222A		Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223	Fairchild Semiconductor
		PZT2222A		Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223	ONS-FAIR
		PZT2222A		Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223	ON SEMICONDUCTOR
		PZT2222A		Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223	NEXPERIA
		SGB15N60HS		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...	INFINEON
		SGB15N60HS		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...			360.00
		SGB15N60HS		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...	Infineon Technologies
		SMCJ188A-E3/57T			VISHAY
		SMCJ188A-E3/57T			Vishay/General Semiconductor
		SMCJ188A-E3/57T

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"