Версия для печати
Технические характеристики BCW32

Корпус	SOT-23
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	200MHz
Power - Max	350mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	32V
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

BCW32 Npn Epitaxial Silicon Transistor Производитель: Samsung semiconductor //www.samsung.com BCW32 datasheet 34.13Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ3130В9				692	18.90
		КТ3130В9			АЛЕКСАНДРОВ	48	9.30
		КТ3130В9			ДАЛЕКС
		КТ3130В9			RUS
		КТ3130В9			ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130В9			ЭЛЕКС
		КТ3130В9			МИНСК	37	14.88
		КТ3130В9			191
		КТ3130В9			257

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NXP	2 513	1.86
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SIEMENS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DIC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DC COMPONENTS	13 100	1.65
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DIOTEC	35 146	2.28
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	GALAXY
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NXP	337
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	OTHER	1 165
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS	552
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SIEMENS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	Fairchild Semiconductor
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	КИТАЙ
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON TECH
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	MCC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)			3.00
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON	59
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	ONS-FAIR	343	3.85
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NEXPERIA	2 164	1.86
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	268	1.99
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	GALAXY ME
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	LRC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	HOTTECH	85 874	1.16  >100 шт.   0.58
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	KLS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	WUXI XUYANG
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	0.00
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	YJ	74 058	1.85
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	JSCJ	122 714	2.00
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SUNTAN	55	1.23
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	KEEN SIDE	46 284	1.52  >100 шт.   0.76
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	2705
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	200
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIR
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	INFINEON
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NXP
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS	800	7.81
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	DC COMPONENTS	11 028	3.63
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD	1 511
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 245
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NXP	9 632
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS	3 040
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	MCC
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	Fairchild Semiconductor
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	КИТАЙ
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	INFINEON TECH
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	GALAXY
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS SEMIC
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	DIOTEC
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	ONS
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)		45 866	1.66  >100 шт.   0.83
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	MICRO COMMERCIA
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	ONS-FAIR
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NEXPERIA
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	GALAXY ME
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	HOTTECH	1 267	1.03
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHI
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	LRC
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NEX-NXP
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PANJIT	32 000
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	KLS	34	1.59
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	YOUTAI	16 308	4.33
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	JSCJ	3 554	2.47
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	YJ	55 737	2.85
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	YANGJIE
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	MIC
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NSP	5 273	1.86
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	YANGZHOU YANGJIE
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	KEEN SIDE	11 632	1.74  >100 шт.   0.87
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	6592
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	ELZET
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	RUME	2 400	1.42  >100 шт.   0.71
		BC850CLT1G			ON SEMICONDUCTOR
		BC850CLT1G			ONS	1 520	2.07
		BC850CLT1G
		BC850CLT1G			ON SEMICONDUCTOR	2 584
		BC850CLT1G			SEMTECH
		BC850CLT1G			0.00
		IRLML2502		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	17.96
		IRLML2502		Транзистор полевой N-канальный MOSFET		7	39.06
		IRLML2502		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	КИТАЙ
		IRLML2502		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INFINEON
		IRLML2502		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	HOTTECH	496 083	4.13
		IRLML2502		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	HUASHUO	14 043	7.53
		IRLML2502		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	YOUTAI	31 437	5.20
		IRLML2502		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	UMW	23 200	4.13
		IRLML2502		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	KEENSIDE	45	5.45
		IRLML2502		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	KEEN SIDE
		IRLML2502		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	225
		NCP1252CDR2G			ON SEMICONDUCTOR
		NCP1252CDR2G			ONS
		NCP1252CDR2G
		NCP1252CDR2G			4-7 НЕДЕЛЬ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"