| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
VS-10MQ060NTRPBF |
|
Диод Шоттки выпрямительный 2.1А, 60В, 40А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
VS-10MQ060NTRPBF |
|
Диод Шоттки выпрямительный 2.1А, 60В, 40А
|
VISHAY
|
3 968
|
|
|
|
|
|
VS-10MQ060NTRPBF |
|
Диод Шоттки выпрямительный 2.1А, 60В, 40А
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
VS-10MQ060NTRPBF |
|
Диод Шоттки выпрямительный 2.1А, 60В, 40А
|
|
|
|
|
|
|
|
VS-10MQ060NTRPBF |
|
Диод Шоттки выпрямительный 2.1А, 60В, 40А
|
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SURFACE MOUNT SMA
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FAIRCHILD
|
1 783
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
2 158
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MOTOROLA
|
847
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
DIODES INC.
|
1 910
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
|
277
|
4.80
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
DC COMPONENTS
|
22 156
|
1.30
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MD
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MASTER INSTRUMENT
|
532
|
6.12
|
|
|
|
|
2N3773G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N3773G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
2N3773G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2N3773G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
216
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
|
8
|
440.00
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
12
|
|
|
Версия для печати
