ТАНТАЛ 2.2МКФ 35В20%ТИПB

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3314G-1-503	Резистор подстроечный однооборотный	BOURNS
3314G-1-503	Резистор подстроечный однооборотный			102.24
3314G-1-503	Резистор подстроечный однооборотный	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
3314G-1-503	Резистор подстроечный однооборотный	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
B019BK		GAINTA	104	3 328.08
B019BK
MMBT2907ALT1G	Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTOR
MMBT2907ALT1G	Полевой транзистор SMD		100	15.12
MMBT2907ALT1G	Полевой транзистор SMD	ONS	68 818	3.35
MMBT2907ALT1G	Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTOR	5 858
MMBT2907ALT1G	Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTO
MMBT2907ALT1G	Полевой транзистор SMD	ONSEMICONDUCTOR
SF28 ДИОД БЫСТРЫЙ		YSELECTRONIC
SF28 ДИОД БЫСТРЫЙ
SF28 ДИОД БЫСТРЫЙ		YJ ELECTRONIC CORP
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.		4	241.80
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	ФОТОН	11 740	22.32
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	АЛЕКСАНДРОВ
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	RUS
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	ЭЛЕКС	532	152.26