|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 320
|
22.31
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
SGS
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
DC COMPONENTS
|
1 767
|
20.55
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
EIC
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
КИТАЙ
|
266
|
43.35
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
MIC
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
LTL
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
YS
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
YJ
|
3 455
|
14.76
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
|
15 480
|
5.45
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
1
|
|
|
|
|
|
1.5KE15A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 15в
|
VISHAY
|
2 820
|
22.97
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
10 563
|
4.66
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
16 525
|
3.59
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
1 200
|
4.92
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
3 084
|
4.00
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
18 560
|
1.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
67 008
|
1.92
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
24 800
|
1.37
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
2.21
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
8
|
193.80
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
|
2
|
386.40
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
|
|
300.00
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
VBSEMI
|
1 900
|
250.31
|
|
|
|
КТ851Б |
|
|
|
16
|
12.25
|
|
|
|
КТ851Б |
|
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
102.00
|
|
|
|
КТ851Б |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|