Версия для печати
Технические характеристики КР140УД17Б

Количество каналов	1
Напряжение питания,В	±15
Частота, МГц	0.4
Напряжение смещения, мВ	0.15
Температурный диапазон, C	-10…+85
Тип корпуса	DIP8

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

МИКРОСХЕМЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		АЛ307АМ		Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...			10.00
		АЛ307АМ		Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...	ПЛАНЕТА
		АЛ307АМ		Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...	СТАРТ
		К1401УД2Б				3	36.00
		К1401УД2Б			ФОТОН	474	85.61
		К1401УД2Б			RUS
		К1401УД2Б			КВАЗАР	16	18.08
		К50-24 63 В 470 МКФ
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		68	22.88
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	10 396	38.00
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	80	30.60
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		МЛТ-0.25- 18К 5%

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"