BD875

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		4 994	38.50
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР	80	27.12
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	12 218	44.00
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 040	108.24
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		68	22.88
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	10 396	38.00
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	80	30.60
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С