BD233

BD233

Версия для печати

Технические характеристики BD233

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 100mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	25 @ 1A, 2V
Power - Max	25W
Frequency - Transition	3MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-126-3
Корпус	TO-126

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт		810	26.95
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	КРЕМНИЙ	532	35.70
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	БРЯНСК	2 187	32.00
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	МИНСК
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	УЛЬЯНОВСК
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	ИНТЕГРАЛ

радиодетали кварц микросхемы магазин

О компании

Контакты

Как купить?

Доставка

Вакансии

Корзина

Товаров: 0, на 0.00 руб.

оформить | очистить