2Д219Б
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шотки, для применения в низковольтных вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шотки, для применения в низковольтных вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz) | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz) |
|
|
||
|
|
|
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz) | KI |
|
|
|
|
|
|
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz) | ST MICROELECTRONICS SEMI | 420 |
|
|
|
|
|
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz) | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz) | SGS THOMSON | 122 |
|
|
 |
2Д202К | 802 | 43.35 | |||||
|
|
2Д202К | СТАРТ |
|
|
||||
 |
Д219А | 3 708 | 8.67 | |||||
|
|
Д219А | ДНЕПР | 140 | 6.00 | ||||
|
|
Д219А | ХЕРСОН | 1 | 4.00 | ||||
|
|
Д219А | СЗТП | 12 | 1.13 | ||||
|
|
Д219А | RUS |
|
|
||||
| МЛТ-2-1.5 КОМ 10% |
|
4.48 | ||||||
| МЛТ-2-330 КОМ 5% |
|
6.00 |
