2SC496
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 800V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 40mA, 200mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 500mA, 5V |
| Power - Max | 3W |
| Frequency - Transition | 4MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TOP-3F |
| Корпус | TOP-3F-A1 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC1162 |
|
Биполярный транзистор | HITACHI | 26 | 33.15 | |
|
|
|
2SC1162 |
|
Биполярный транзистор | 100 | 30.00 | ||
|
|
|
2SC1162 |
|
Биполярный транзистор | HIT |
|
|
|
|
|
|
2SC1162 |
|
Биполярный транзистор | ISC |
|
|
|
 |
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 49 | 19.20 | ||
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | КРЕМНИЙ | 283 | 48.45 | |
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
