Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 300mA, 1.5A |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 1.2A, 2V |
Power - Max | 2W |
Frequency - Transition | 10MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220D |
Корпус | TO-220D-A1 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC2021 | 70.00 | |||||||
2SC2021 | ROHM | |||||||
2SC2021 | NO TRADEMARK | |||||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | КРЕМНИЙ | 8 | 38.25 | ||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | 674 | 31.50 | |||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | БРЯНСК | ||||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | МИНСК | 570 | 24.00 | ||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | RUS | ||||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ИНТЕГРАЛ | ||||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ТРАНЗИСТОР | 4 | 34.44 |
|