С5-16МВ-2 0,16 ОМ 1%
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK3878 |
|
|
||||||
| 2SK3878 | TOS | 196 | 129.10 | |||||
| 2SK3878 | TOSHIBA | 1 | 170.29 | |||||
 |
 |
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 1 | 44.58 | |
|
|
|
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 122 |
|
|
|
|
|
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ... | INFINEON | 12 544 | 14.76 | |
|
|
|
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ... | 4 320 | 9.02 | ||
|
|
|
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ... | HOTTECH |
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ... | KLS |
|
|
|
| MGB20-P-11B | 180 | 47.76 | ||||||
| MGB20-P-11B | 180 | 47.76 |
