С2-29В-0,125 806ОМ 0,1% А
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2С108Б | 41 |
|
||||||
| 2С108Б | ОПТРОН | 2 |
|
|||||
| 2С108Б | 41 |
|
||||||
 |
 |
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | 940 | 465.00 | ||
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | МИНСК | 76 | 651.00 | |
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | ИНТЕГРАЛ | 1 352 |
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | АЛЬФА РИГА |
|
|
|
| С2-29В-0,125 806ОМ 0,5% А |
|
|
||||||
| С2-29В-0,125-806 ОМ-0,5% |
|
|
||||||
| С2-29В-0,125-806 ОМ-1% |
|
|
