МЛТ-2 330ОМ 10%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
10A10 (10A 1000V)
IRFB3006PBF	Транзистор N-канальный MOSFET 60V 270A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB3006PBF	Транзистор N-канальный MOSFET 60V 270A	INFINEON
IRFB3006PBF	Транзистор N-канальный MOSFET 60V 270A
IRFP22N60K	N-MOS 600V, 22A, 370W	VISHAY
IRFP22N60K	N-MOS 600V, 22A, 370W
ВПТ19-0.25А
ВПТ19-0.25А		ЗУБОВА ПОЛЯНА	472	1.60
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...		749	11.72
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМНИЙ	800	16.83
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ПЛАНЕТА	800	11.73
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	БРЯНСК
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	МИНСК
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ЭЛЕКС
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	АЛЕКСАНДРОВ
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ИНТЕГРАЛ
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМН
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМНИЙ ЭЛ	1	4.29