К73-17 0,1М 400В 10%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
11DQ03	Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.	VISHAY
11DQ03	Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.		228	9.30
11DQ03	Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.	Vishay/Semiconductors
11DQ03	Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.	EIC
11DQ03	Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.	1
К10-62-500-1.8 М47 10%	Керамический конденсатор 1.8 пФ 500 В			1.36
КТ8101А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный		97	223.20
КТ8101А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	КРЕМНИЙ	60	218.62
КТ8101А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	БРЯНСК	231	232.50
КТ8101А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	КВАЗАР
КТ8101А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	БРРЯНСК
КТ8101А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	20
КТ8101А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	264
КТ8101А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	3
ТП 208- 5 (ТПП268 220-50К)			196	1 612.80
ТП112-10
ТП112-10		RUS
ТП112-10		НПК-КОМПЛЕКС	29	1 446.48