FQT4N20L

Версия для печати

Технические характеристики FQT4N20L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.35 Ohm @ 425mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	850mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	310pF @ 25V
Power - Max	2.2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQT4N20L (MOSFET)

200V LOGIC N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQT4N20L datasheet
627.5 Кб