|
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 36A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.5 mOhm @ 22A, 10V |
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1770pF @ 25V |
Power - Max | 92W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ATMEGA48PA-PU | ATMEL | 43 | 560.00 | |||||
ATMEGA48PA-PU | ||||||||
ATMEGA48PA-PU | КОРЕЯ РЕСПУБЛИК | |||||||
ATMEGA48PA-PU | ||||||||
ATMEGA48PA-PU | MICRO CHIP | |||||||
SF18 (1A 600В) | Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс | |||||||
UC3825N | Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В | TEXAS INSTRUMENTS | ||||||
UC3825N | Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В | 305.96 | ||||||
UC3825N | Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В | TEXAS | ||||||
UC3825N | Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В | UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C | 19 | |||||
UC3825N | Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В | МАЛАЙЗИЯ | ||||||
UC3825N | Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В | TEXAS INSTRUMEN | ||||||
К15-4-470ПФ-30КВ Н70 | ПСКОВ | |||||||
ТН 26-127/220-50 |
|