Версия для печати
Технические характеристики LM358M

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V
Ток выходной / канал	30mA
Ток выходной	800µA
Напряжение входного смещения	2900µV
Ток - входного смещения	45nA
Скорость нарастания выходного напряжения	0.3 V/µs
Число каналов	2
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

LM158 (Операционные усилители) Low Power Dual Operational Amplifiers Также в этом файле: LM358M, LM358MX Производитель: National Semiconductor //www.national.com LM358M datasheet 1004.69Kb 16стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS	179	11.16
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS	828	27.33
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц			16.04
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	UTC
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMicroelectronics
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ГЕРМАНИЯ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	КИТАЙ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMICROELECTR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	HTC TAEJIN
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	1
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	IDCHIP	13 898	6.00
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	4-7 НЕДЕЛЬ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		MUR1640CT		Ультрабыстрый диод 400V 16A(2x8)	EIC
		MUR1640CT		Ультрабыстрый диод 400V 16A(2x8)	VISHAY
		MUR1640CT		Ультрабыстрый диод 400V 16A(2x8)		1 240	20.34
		MUR1640CT		Ультрабыстрый диод 400V 16A(2x8)	ON Semiconductor
		MUR1640CT		Ультрабыстрый диод 400V 16A(2x8)	ON SEMICONDUCTOR
		MUR1640CT		Ультрабыстрый диод 400V 16A(2x8)	ISC
		MUR1640CT		Ультрабыстрый диод 400V 16A(2x8)	YJ	17 012	21.46
		MUR1640CT		Ультрабыстрый диод 400V 16A(2x8)	YANGJIE (YJ)
		MUR1640CT		Ультрабыстрый диод 400V 16A(2x8)	JSCJ	244	32.08
		MUR1640CT		Ультрабыстрый диод 400V 16A(2x8)	YANGZHOU YANGJIE
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	TEXAS INSTRUMENTS
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C			399.24
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	TEXAS INSTRUMENTS
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	TEXAS
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	4-7 НЕДЕЛЬ
		W01M		Диодный мост 1.5A/100V	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		W01M		Диодный мост 1.5A/100V	DC COMPONENTS	2 389	6.00
		W01M		Диодный мост 1.5A/100V			18.08
		W01M		Диодный мост 1.5A/100V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W01M		Диодный мост 1.5A/100V	КИТАЙ
		W01M		Диодный мост 1.5A/100V	KINGTRONICS
		W01M		Диодный мост 1.5A/100V	KINGTRONIC
		W01M		Диодный мост 1.5A/100V	HOTTECH
		W01M		Диодный мост 1.5A/100V	KEEN SIDE	1 680	7.41
		КЕР.ЧИП КОНД. 0.47МКФY5V 50В-20+80%0603, GRM188F51A474Z			MURATA
		КУ208Г		Симистор, кремниевый, планарный, структуры PNPN, триодный, незапираемый 400В, 10А, ...		930	39.04
		КУ208Г		Симистор, кремниевый, планарный, структуры PNPN, триодный, незапираемый 400В, 10А, ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ	200	95.05
		КУ208Г		Симистор, кремниевый, планарный, структуры PNPN, триодный, незапираемый 400В, 10А, ...	СТАРТ
		КУ208Г		Симистор, кремниевый, планарный, структуры PNPN, триодный, незапираемый 400В, 10А, ...	RUS
		КУ208Г		Симистор, кремниевый, планарный, структуры PNPN, триодный, незапираемый 400В, 10А, ...	СЗТП	8	106.19
		КУ208Г		Симистор, кремниевый, планарный, структуры PNPN, триодный, незапираемый 400В, 10А, ...	П/П 2
		КУ208Г		Симистор, кремниевый, планарный, структуры PNPN, триодный, незапираемый 400В, 10А, ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"