AT-42010

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
AT-42010	8	6 876.32

Версия для печати

Технические характеристики AT-42010

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	12V
Frequency - Transition	8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
Gain	10dB ~ 13.5dB
Power - Max	600mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 35mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max)	80mA
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	4-SMD (100 mil)
Корпус	100 mil

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

AT-42010 (Радиочастотные биполярные транзисторы)

Up To 6 Ghz Medium Power Silicon Bipolar Transistor

Производитель:
Agilent Technologies
//www.agilent.com

AT-42010 datasheet
54.46Kb
5стр.