SI9936DY

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
SI9936DY	521	70.40
SI9936DY (FAIRCHILD.)	32	3-4 недели Цена по запросу
SI9936DY (NXP.)	1 379	3-4 недели Цена по запросу
SI9936DY (SILICONIX.)	12	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI9936DY

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	525pF @ 15V
Power - Max	900mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI9936DY

N-channel Enhancement Mode Field-effect Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

SI9936DY datasheet
243.27Kb
13стр.