SG6859ATZ

Версия для печати

Технические характеристики SG6859ATZ

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK2837	Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W	TOSHIBA
2SK2837	Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W			283.20
2SK2837	Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W	TOS
ICE2PCS01GXT		INFINEON
ICE2PCS01GXT
IRGP50B60PD1PBF	Модуль IGBT 600В 75A 390Вт 150кГц	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRGP50B60PD1PBF	Модуль IGBT 600В 75A 390Вт 150кГц
IRGP50B60PD1PBF	Модуль IGBT 600В 75A 390Вт 150кГц	INFINEON	2	3 013.96
IRGP50B60PD1PBF	Модуль IGBT 600В 75A 390Вт 150кГц	INTERNATIONAL RECTIFIER
SFH6156-2T	Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 63-125% tвкл/выкл=3/2,3 мкс	VISHAY	411	30.00
SFH6156-2T	Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 63-125% tвкл/выкл=3/2,3 мкс			52.12
SFH6156-2T	Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 63-125% tвкл/выкл=3/2,3 мкс	VISHAY	204
SFH6156-2T	Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 63-125% tвкл/выкл=3/2,3 мкс	Vishay/Semiconductors
SPD06N80C3		INFINEON
SPD06N80C3		INFINEON
SPD06N80C3		Infineon Technologies
SPD06N80C3