Версия для печати
Технические характеристики GP2S27T3J00F
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Sensing Distance | 0.028" (0.7mm) |
| Метод считывания | Reflective |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 35V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
| Current - DC Forward (If) | 50mA |
| Тип выхода | Phototransistor |
| Response Time | 20µs, 20µs |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 4-SMD |
| Рабочая температура | -25°C ~ 85°C |
| Product Change Notification | Internal Chip Change |
| Output Type | Phototransistor |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
