|
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9400pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 75A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Power - Max | 370W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRFB3077PBF (Мощные полевые МОП транзисторы) High Efficiency Synchronous Rectification In Smps
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1206-0 | 1 315 | 1.36 | ||||||
3224W-1-502E | Резистор подстроечный однооборотный smd (R=5,0 kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | BOURNS | 1 432 | 138.95 | ||||
3224W-1-502E | Резистор подстроечный однооборотный smd (R=5,0 kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | 316.80 | ||||||
3224W-1-502E | Резистор подстроечный однооборотный smd (R=5,0 kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | Bourns Inc | ||||||
3224W-1-502E | Резистор подстроечный однооборотный smd (R=5,0 kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | BOURNS | ||||||
3224W-1-502E | Резистор подстроечный однооборотный smd (R=5,0 kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | BOURNS SENSORS |
|