|
|
Версия для печати
| Reverse Recovery Time (trr) | Рабочее напряжение: |
| Lumens/Watt @ Current - Test | Ток потребления при рабочем напряжении: |
| Divider | Минимальное напряжение ограничения: |
| Line Regulation | Максимальное напряжение ограничения: |
| Magnification Range | Максимальное импульсное напряжение: |
| Main Purpose | Максимальный импульсный ток: |
| Supply Current | Симметрия ВАХ: |
| Constant Current Load - Max | Тип корпуса: |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISO7231ADWR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| ISO7231ADWR |
|
|
||||||
| ISO7231ADWR | TEXAS |
|
|
|||||
| ISO7231ADWR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 89 |
|
|||||
|
|
LM1117IMPX-3.3 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM1117IMPX-3.3 | 40 | 49.14 | |||||
|
|
LM1117IMPX-3.3 | NSC |
|
|
||||
|
|
LM1117IMPX-3.3 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM1117IMPX-3.3 | NATIONAL SEMIC |
|
|
||||
|
|
LM1117IMPX-3.3 | TEXAS INSTRUMENTS | 48 | 46.50 | ||||
|
|
LM1117IMPX-3.3 | 1 |
|
|
||||
|
|
LM1117IMPX-3.3 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 180 |
|
||||
| MURS160 | VISHAY |
|
|
|||||
| MURS160 | 14 400 | 2.28 | ||||||
| MURS160 | EIC |
|
|
|||||
| MURS160 | GALAXY | 12 909 | 5.94 | |||||
| MURS160 | КИТАЙ |
|
|
|||||
| MURS160 | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP | 9 000 |
|
|||||
| MURS160 | GALAXY ME |
|
|
|||||
| MURS160 | HOTTECH | 41 388 | 2.76 | |||||
| MURS160 | KLS |
|
|
|||||
| MURS160 | LGE |
|
|
|||||
| MURS160 | JANGJIE |
|
|
|||||
| MURS160 | YJ | 22 473 | 7.91 | |||||
| MURS160 | SUNTAN | 682 | 2.31 | |||||
| MURS160 | KEXIN | 2 376 | 3.07 | |||||
| MURS160 | KEEN SIDE | 7 465 | 3.17 | |||||
| MURS160 | 28395 |
|
|
|||||
| MURS160 | 27395 |
|
|
|||||
| MURS160 | TRR | 1 600 | 1.97 | |||||
| PNY-05015R | PMI |
|
|
|||||
| PNY-05015R | PULSE ENGINEERING |
|
|
|||||
| PNY-05015R |
|
|
||||||
|
|
|
RLB1314-100KL |
|
Индуктивность с радиальными выводами 10мкГн, 10%, 3200мА | BOURNS | 2 | 81.48 | |
|
|
|
RLB1314-100KL |
|
Индуктивность с радиальными выводами 10мкГн, 10%, 3200мА |
|
|