IXFN82N60P

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IXFN82N60P		6 737.60

Версия для печати

Технические характеристики IXFN82N60P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PolarHV™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 41A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	72A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	240nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	23000pF @ 25V
Power - Max	1040W
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	SOT-227-4, miniBLOC
Корпус	SOT-227B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN82N60P (MOSFET)

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFN82N60P datasheet
152.5 Кб