NTHS5443T1G


Купить NTHS5443T1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTHS5443T1G
Версия для печати

Технические характеристики NTHS5443T1G

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs65 mOhm @ 3.6A, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id600mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs12nC @ 4.5V
Power - Max1.3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-ChipFET™
КорпусChipFET
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход