Версия для печати
Технические характеристики NTHS5443T1G
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Power - Max | 1.3W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-ChipFET™ |
Корпус | ChipFET |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.