NTD3055L170-1G


Купить NTD3055L170-1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTD3055L170-1G
Версия для печати

Технические характеристики NTD3055L170-1G

Gate Charge (Qg) @ Vgs10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C9A
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs170 mOhm @ 4.5A, 5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds275pF @ 25V
Power - Max1.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход