NTB75N03RT4G


Купить NTB75N03RT4G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTB75N03RT4G
Версия для печати

Технические характеристики NTB75N03RT4G

Gate Charge (Qg) @ Vgs13.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C9.7A
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8 mOhm @ 20A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1333pF @ 20V
Power - Max1.25W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход