IRFB4310G

Версия для печати

Технические характеристики IRFB4310G

Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7670pF @ 50V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	250nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	130A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 75A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	300W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.