NTGS1135PT1G


Купить NTGS1135PT1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTGS1135PT1G
Версия для печати

Технические характеристики NTGS1135PT1G

Gate Charge (Qg) @ Vgs21nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.6A
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs31 mOhm @ 4.6A, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2200pF @ 6V
Power - Max970mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-74, SOT-457
Корпус6-TSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход