IRF3205ZPBF
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A корпус TO-220AB
|
Структура N-канал |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 66A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3450pF @ 25V |
| Power - Max | 170W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A корпус TO-220AB
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAT54SFILM | NXP |
|
|
||||
|
|
BAT54SFILM | ST MICROELECTRONICS | 1 200 | 5.90 | ||||
|
|
BAT54SFILM | 2 320 | 7.04 | |||||
|
|
BAT54SFILM | ST MICROELECTRONICS SEMI | 2 164 |
|
||||
|
|
BAT54SFILM | STMicroelectronics |
|
|
||||
|
|
BAT54SFILM | КИТАЙ |
|
|
||||
| HIP4082IBZ |
|
Микросхема. H-Bridge. N-Channel MOSFET d | INTERSIL |
|
|
|||
| HIP4082IBZ |
|
Микросхема. H-Bridge. N-Channel MOSFET d | 8 | 1 128.00 | ||||
| HIP4082IBZ |
|
Микросхема. H-Bridge. N-Channel MOSFET d | INTERSIL |
|
|
|||
 |
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 3 |
|
|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ... |
|
|
||
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ... | INFINEON | 6 012 | 132.64 | |
| MC33039DR2 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC33039DR2 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
 |
К176ИД3 | 99 | 46.80 | |||||
|
|
К176ИД3 | НЗПП | 288 | 63.96 | ||||
|
|
К176ИД3 | ХАБАРОВСК |
|
|
||||
|
|
К176ИД3 | RUS |
|
|
