BS107ARL1G
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 Ohm @ 250mA, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 250mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 60pF @ 25V |
| Power - Max | 350mW |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус | TO-92-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SA1012 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz |
|
76.04 | ||
|
|
|
2SA1012 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SA1012 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SA1012 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz | NO TRADEMARK |
|
|
|
|
|
|
2SA1012 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz | ISCSEMI |
|
|
|
| 2SD1667F |
|
|
||||||
 |
|
2SJ162+2SK1058 ПАРА |
|
Комплементарная пара для выходного каскада УНЧ | RENESAS |
|
|
|
|
|
|
2SJ162+2SK1058 ПАРА |
|
Комплементарная пара для выходного каскада УНЧ |
|
953.24 | ||
 |
|
2SK216 |
|
Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB, 200В, 500мА | HITACHI |
|
|
|
|
|
|
2SK216 |
|
Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB, 200В, 500мА | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SK216 |
|
Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB, 200В, 500мА |
|
|
||
|
|
|
2SK216 |
|
Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB, 200В, 500мА | HIT |
|
|
|
|
|
LM317LBD | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM317LBD | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM317LBD | UTC |
|
|
||||
|
|
LM317LBD |
|
48.00 | |||||
|
|
LM317LBD | ONS |
|
|
||||
|
|
LM317LBD | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM317LBD | ФИЛИППИНЫ |
|
|
