IRF630NSPBF


Купить IRF630NSPBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF630NSPBF
Версия для печати

Технические характеристики IRF630NSPBF

Power - Max82W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds575pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C9.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs300 mOhm @ 5.4A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход