NSTB1002DXV5T1G


Купить NSTB1002DXV5T1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NSTB1002DXV5T1G
Версия для печати

Технические характеристики NSTB1002DXV5T1G

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V, 40V
Current - Collector (Ic) (Max)100mA, 200mA
Transistor Type1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Resistor - Base (R1) (Ohms)47K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition250MHz
Power - Max500mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SOT-553
КорпусSOT-553
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход