T835-800B-TR
|
Версия для печати
| Производитель | ST Microelectronics |
| Attachment Method | 800 В |
| Cavity D | 8 А |
| Conductor Diameter | 1.55 В |
| Conductor Insulation | 35 мА |
| Корпус | TO 252 DPAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
