K6X1008C2D-BF55T
SRAM 128K x 8, 5.0V
Версия для печати
Технические характеристики K6X1008C2D-BF55T
| Производитель | SAMSUNG ELECTRONICS |
| Количество в упаковке | 1000 шт. |
| Вес | 1.828 г |
| Объём памяти | 1024 kbit |
| Cell Resistance @ Illuminance | 128x8 |
| Center / Cutoff Frequency | 55 нс |
| Напряжение питания | 4.5…5.5 В |
| Корпус (размер) | SOP32 |
| Рабочая температура | -40...85 °C |
| Температура хранения | -65...150 °C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
