|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IR1155STRPBF |
|
|
International Rectifier
|
779
|
170.00
|
|
|
|
IR1155STRPBF |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR1155STRPBF |
|
|
|
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 144
|
8.38
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
|
1 200
|
12.44
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
23
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
YOUTAI
|
22 178
|
7.84
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
UMW
|
1 680
|
7.87
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
LM431ACM3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM431ACM3 |
|
|
|
|
71.20
|
|
|
|
LM431ACM3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM431ACM3 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM431ACM3 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
MC33025DWG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33025DWG |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC33025DWG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33025DWG |
|
|
|
7
|
246.40
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
|
|
166.40
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
|
|
166.40
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|