Версия для печати
Технические характеристики IR2118PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Конфигурация	High-Side
Тип входа	Inverting
Время задержки	125ns
Ток пиковое значение	250mA
Число конфигураций	1
Число выходов	1
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)	600V
Напряжение питания	10 V ~ 20 V
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	8-DIP

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IR4427PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR4427PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INFINEON
		IR4427PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс
		IR4428PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR4428PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INFINEON
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIR
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	DIOTEC	56	2.49
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIRCHILD
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIRCHILD	2 683
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MCC
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	Fairchild Semiconductor
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223		38 400	1.38  >100 шт.   0.69
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	КИТАЙ
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	ONS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	GALAXY
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YJ	164 304	2.02
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FSC
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	GALAXY ME
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	HOTTECH	16 699	1.12  >100 шт.   0.56
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	KLS	16	1.50
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	SUNTAN
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YANGJIE
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YANGJIE (YJ)
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YOUTAI	104 726	1.69
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	JSCJ	99 866	3.36
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	HXY	107	1.42  >100 шт.   0.71
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	JSMICRO	76 704	1.41
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	XXW	199	1.20  >100 шт.   0.60
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	KEEN SIDE	4 952	1.52  >100 шт.   0.76
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	15850
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	RUME	39 120	1.08  >100 шт.   0.54
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	ASEMI	30 666	1.32  >100 шт.   0.66
		STGW40N120KD		Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания	ST MICROELECTRONICS
		STGW40N120KD		Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания	STMicroelectronics
		STGW40N120KD		Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания	КИТАЙ
		STGW40N120KD		Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания
		UC3844AN			TEXAS INSTRUMENTS
		UC3844AN			ST MICROELECTRONICS
		UC3844AN					69.32
		UC3844AN			STMicroelectronics
		UC3844AN			TEXAS
		UC3844AN			TEXAS INSTRUMEN
		UC3844AN
		UC3844AN			4-7 НЕДЕЛЬ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"