Версия для печати
Технические характеристики B32529D0225K289

Производитель	EPCOS (SIEMENS MATSUSHITA COMP.)
Количество в упаковке	1 шт.
Вес	1.070 г
Допуск емкости	±10%
Номинальное постоянное напряжение	63 В
Номинальное переменное напряжение	40 В
Диэлектрик	Polyester
Номинальное напряжение	63 В
Размер	7.8x7.8x13.0
Шаг выводов	5
Стиль	MKT
Рабочая температура	-55...125 °C
	Metallized polyester film capacitors (MKT); G
Емкость	2.2 мкФ
Серия	B3252
Корпус (размер)	PIN
Тип монтажа	Выводной
Тип	Пленочный

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	10 563	4.63
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	16 525	3.59
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	1 200	4.92
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	3 084	4.00
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		18 560	1.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	57 209	1.91
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	24 800	1.37
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.21
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		B32529C105K		Пленочный конденсатор 1 мкФ 63 В	EPCOS
		B32529C105K		Пленочный конденсатор 1 мкФ 63 В	EPCOS Inc
		B32529C105K		Пленочный конденсатор 1 мкФ 63 В
		B32529C105K		Пленочный конденсатор 1 мкФ 63 В	TDK
		B32529C105K		Пленочный конденсатор 1 мкФ 63 В	TDK-EPC
		B32529C105K		Пленочный конденсатор 1 мкФ 63 В	TDK EPCOS	1	46.25
		OPA134PA		ИМС Операционный усилитель Audio 8MHz 20В/мкс	TEXAS INSTRUMENTS
		OPA134PA		ИМС Операционный усилитель Audio 8MHz 20В/мкс	BURR-BROWN
		OPA134PA		ИМС Операционный усилитель Audio 8MHz 20В/мкс			332.00
		OPA134PA		ИМС Операционный усилитель Audio 8MHz 20В/мкс	TEXAS
		OPA134PA		ИМС Операционный усилитель Audio 8MHz 20В/мкс	TEXAS INSTRUMEN
		SB035M0022B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 35 В	YAGEO
		SB035M0022B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 35 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SB035M0022B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 35 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		TL431ACLP		Источник опорного напряжения		225	21.60
		TL431ACLP		Источник опорного напряжения	FAIR
		TL431ACLP		Источник опорного напряжения	ON SEMICONDUCTOR
		TL431ACLP		Источник опорного напряжения	TEXAS INSTRUMENTS
		TL431ACLP		Источник опорного напряжения	FAIRCHILD
		TL431ACLP		Источник опорного напряжения	FAIRCHILD
		TL431ACLP		Источник опорного напряжения	ON SEMICONDUCTOR	40
		TL431ACLP		Источник опорного напряжения	OTHER
		TL431ACLP		Источник опорного напряжения	Fairchild Semiconductor
		TL431ACLP		Источник опорного напряжения	Microsemi Analog Mixed Signal Group
		TL431ACLP		Источник опорного напряжения	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		TL431ACLP		Источник опорного напряжения	ST MICROELECTRONICS
		TL431ACLP		Источник опорного напряжения	TEXAS
		TL431ACLP		Источник опорного напряжения	TEXAS INSTRUMEN

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"