SY035M0100B3F-0811


Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 35 В

Купить SY035M0100B3F-0811 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SY035M0100B3F-0811
Версия для печати

Технические характеристики SY035M0100B3F-0811

ПроизводительYageo Corporation
Допуск емкости±20%
Номинальное напряжение35 В
Емкость100 мкФ
Ток утечки35 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь0.12
Эквивалентное последовательное сопротивление180 мОм
Максимальный ток пульсаций0.63 А
Шаг выводов3.5 мм
Срок службы6000 Ч
Размер корпусаф 8x11
Рабочая температура-40...105 °C
Very low impedance and ESR, miniature aluminu
СерияSY
Корпус (размер)Radial
Тип монтажаВыводной
ТипЭлектролитический алюминиевый
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   MCC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )     1 788 1.11 
>500 шт.   0.37 
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   NXP 16 000 цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   PHILIPS 28 085 цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   NEXPERIA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   SUNTAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   WUXI XUYANG 4 681 1.49 
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   SEMTECH 78 1.98 
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   HOTTECH 4 1.70 
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   PLINGSEMIC 25 777 1.74 
>100 шт.   0.87 
GCM188R71H102KA37D   Murata Electronics North America Заказ радиодеталей цена радиодетали
GCM188R71H102KA37D   MUR 1 2.36 
GCM188R71H102KA37D   MURATA Заказ радиодеталей цена радиодетали
GCM188R71H102KA37D     Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PC50WPBF Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PC50WPBF Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PC50WPBF Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)     Заказ радиодеталей цена радиодетали
    RC1206FR-072K2L     YAGEO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    RC1206FR-072K2L       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SJ050M0470B5S-1320 Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50 В   YAGEO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SJ050M0470B5S-1320 Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50 В   ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SJ050M0470B5S-1320 Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50 В   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход