Версия для печати
Технические характеристики SY035M0100B3F-0811

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	35 В
Емкость	100 мкФ
Ток утечки	35 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.12
Эквивалентное последовательное сопротивление	180 мОм
Максимальный ток пульсаций	0.63 А
Шаг выводов	3.5 мм
Срок службы	6000 Ч
Размер корпуса	ф 8x11
Рабочая температура	-40...105 °C
	Very low impedance and ESR, miniature aluminu
Серия	SY
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BZV55C10		Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА		19 426	1.18  >100 шт.   0.59
		BZV55C10		Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА	NXP
		BZV55C10		Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZV55C10		Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА	DC COMPONENTS
		BZV55C10		Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА	КИТАЙ
		BZV55C10		Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА	KINGTRONICS
		BZV55C10		Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА	KLS
		BZV55C10		Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА	HOTTECH	42 472	1.80  >100 шт.   0.90
		BZV55C10		Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА	1
		JRB1V221M03500800120000B			JB	171 128	4.99
		JRB1V221M03500800120000B
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	12	2.56
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONS
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)			7.20
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 146
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	GALAXY
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	0.00
		SH400M0047B7F-1625		Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ, 400 В, 20%	YAGEO
		SH400M0047B7F-1625		Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ, 400 В, 20%	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH400M0047B7F-1625		Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ, 400 В, 20%	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		5 721	35.00
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	8 819	40.00
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	2 000	79.70
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"