Версия для печати
Технические характеристики GRM31M7U1H104JA01L

Производитель	Murata Manufacturing Co., Ltd.
Температурный коэфициент	U2J
Допуск емкости	±5%
Номинальное постоянное напряжение	50 В
Тип диэлектрика	U2J
Номинальное напряжение	50 В
Рабочая температура	-55...125 °C
	Tin Plated Layer
Размер	3.2x1.6x1.1
Емкость	0.1 мкФ
Серия	GRM
Корпус (размер)	1206
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±5%
Tolerance	±5%
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Thickness	0.049" (1.25mm)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC337-040G			ON Semiconductor
		BC337-040G			ONSEMICONDUCTOR
		BC337-040G			ONS	1 280	7.87
		BC337-040G
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	OTHER
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CJ
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CDIL
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	42 633	2.48
		BC847.215			NXP
		BC847.215			NEX-NXP
		BC847.215
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	PHILIPS
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	NXP
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	TSC
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C		27 200	1.46  >100 шт.   0.73
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	DIOTEC	9 488	1.82
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	PHILIPS	30 200
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	NXP	4 500
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	PHILIPS SEMIC
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	YJ	66 337	1.39
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	HOTTECH	328	1.96  >100 шт.   0.98
		G2RL1E12DC		Реле SPDT 1xU 16A 12V 360R 29х12,7x15,7мм	OMRON	3 587	216.66
		G2RL1E12DC		Реле SPDT 1xU 16A 12V 360R 29х12,7x15,7мм			164.80

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"