| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
293D476X0010B2TE3 |
|
Танталовый ЧИП конденсатор 47 мкФ, 10В, тип В, 20%
|
Vishay/Sprague
|
|
|
|
|
|
293D476X0010B2TE3 |
|
Танталовый ЧИП конденсатор 47 мкФ, 10В, тип В, 20%
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
293D476X0010B2TE3 |
|
Танталовый ЧИП конденсатор 47 мкФ, 10В, тип В, 20%
|
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
10 484
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
|
1 796
|
3.31
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
JSCJ
|
559 984
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BZV55C20 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C20 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
|
48 405
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BZV55C20 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
|
48 405
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BZV55C20 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZV55C20 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
11 132
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
|
KX-26T 32.768 KHZ |
|
|
GEYER ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
|
KX-26T 32.768 KHZ |
|
|
GEYER
|
|
|
|
|
|
|
KX-26T 32.768 KHZ |
|
|
|
|
|
|
|
|
LQM21FN100M70L |
|
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
LQM21FN100M70L |
|
|
MUR
|
25 106
|
6.56
|
|
|
|
LQM21FN100M70L |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
LQM21FN100M70L |
|
|
|
|
|
|
|
|
LQM21FN100M70L |
|
|
MURATA
|
16
|
5.72
|
|