|
|
Версия для печати
| Производитель | Yageo Corporation |
| Допуск емкости | ±10% |
| Номинальное постоянное напряжение | 1 кВ |
| Тип диэлектрика | X7R |
| Рабочая температура | -55...125 °C |
| Multilayer chip capacitance | |
| Размер | 3.2x1.6x1.6 |
| Номинальное напряжение | 1 кВ |
| Температурный коэфициент | X7R |
| Емкость | 0.01 мкФ |
| Серия | CC_1206 |
| Корпус (размер) | 1206 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип | Керамический |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
2N4403G |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
2N4403G |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт) | ONS |
|
|
|
|
|
|
2N4403G |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
2N4403G |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт) | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|
|
|
|
2N4403G |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт) |
|
|
||
|
|
|
CM322522-100KL |
|
ЧИП-индуктивность 10мкГн, 1210 | BOURNS | 1 | 18.60 | |
|
|
|
CM322522-100KL |
|
ЧИП-индуктивность 10мкГн, 1210 |
|
67.20 | ||
|
|
|
CM322522-100KL |
|
ЧИП-индуктивность 10мкГн, 1210 | 2 |
|
|
|
| ES1D ДИОД УЛЬТРАБЫСТР. 1A | DC COMPONENTS |
|
|
|||||
| ES1D ДИОД УЛЬТРАБЫСТР. 1A |
|
|
||||||
|
|
RC0805JR-072M2 |
|
Резистор SMD, 0805, 2.2мОм, 0.125Вт, 5% | SYNTON-TECH CORPORATION |
|
|
||
|
|
RC0805JR-072M2 |
|
Резистор SMD, 0805, 2.2мОм, 0.125Вт, 5% | YAGEO |
|
|
||
|
|
RC0805JR-072M2 |
|
Резистор SMD, 0805, 2.2мОм, 0.125Вт, 5% | YAGEO |
|
|
||
| КОРПУС ДЛЯ РЭА G 0471 | GAINTA |
|
|
|||||
| КОРПУС ДЛЯ РЭА G 0471 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|