IRFBG30

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFBG30		171.60
IRFBG30 (TOKMAS)	1 940	40.72

Версия для печати

Технические характеристики IRFBG30

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 1.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	980pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFBG30 (N-канальные транзисторные модули)

Power Mosfet (vdss=1000v, Rds (on) =5.0ohm, Id=3.1a)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFBG30 datasheet
171.15Kb
6стр.