RS1M

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
RS1M	1 616	1.20 >100 шт. 0.60
RS1M (DC COMPONENTS)	235	3.38
RS1M (YOUTAI)	7 465	1.06
RS1M (YJ)	8 807	1.97
RS1M (KINGTRONICS)	76	2.66
RS1M (HOTTECH)	324 624	1.15

Версия для печати

Технические характеристики RS1M

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.3V @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V (1kV)
Current - Average Rectified (Io)	1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 1000V
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	500ns
Capacitance @ Vr, F	10pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Корпус	SMA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAT54SLT1G		NXP
BAT54SLT1G		ON SEMICONDUCTOR
BAT54SLT1G		ONS	7	5.90
BAT54SLT1G				10.00
BAT54SLT1G		ON SEMICONDUCTOR
BAT54SLT1G		ON SEMICONDUCTO
BAT54SLT1G		ONSEMICONDUCTOR
BAT54SLT1G		ONSEMI	279	3.23
BSP125		INFINEON
BSP125
BSP125		INFINEON TECHNOLOGIES
IT-1181-180G-G		SWITRONIC	4 800	42.31
IT-1181-180G-G
IT-1181-180G-G		SWITR
MJE13009	Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ON SEMICONDUCTOR
MJE13009	Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ST MICROELECTRONICS
MJE13009	Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ONS
MJE13009	Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz		3	172.80
MJE13009	Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ФИЛИППИНЫ
MJE13009	Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ISC	407	81.39
MJE13009	Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	VARIOUS
PIC16F873A-E/SP		Microchip Technology
PIC16F873A-E/SP		MICRO CHIP	56
PIC16F873A-E/SP