IRFP3415PBF
Транзистор N-Канальный 150V 43A 200W 0,042R TO247AC
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 22A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 43A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BY329-1200 | NXP |
|
|
||||
|
|
BY329-1200 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BY329-1200 |
|
65.20 | |||||
|
|
BY329-1200 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BY329-1200 | NXP |
|
|
||||
| GSIB2580-E3/45 | VISHAY | 1 360 | 111.35 | |||||
| GSIB2580-E3/45 | 416 | 125.63 | ||||||
| GSIB2580-E3/45 | GS |
|
|
|||||
| GSIB2580-E3/45 | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|||||
| GSIB2580-E3/45 | 416 | 125.63 | ||||||
| IKW25T120 |
|
1 629.68 | ||||||
| IKW25T120 | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| IKW25T120 | INFINEON |
|
|
|||||
 |
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт | 11 | 440.00 | ||
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт | INTERSIL |
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт | 1 |
|
|
